Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED MINIMUM PADS FOR SOT-23
0.037
(0.950)
0.022
(0.559)
0.053
(1.341)
0.097
(2.459)
Recommended Minimum Pads
Dimensions in Inches/(mm)
Return to Index Return to Index
Document Number: 72609
Revision: 21-Jan-08
www.vishay.com
25
相关PDF资料
SI2367DS-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT-23
SI2377EDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V SOT-23
SI3424BDV-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
SI3424DV-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 5A 6-TSOP
SI3433CDV-T1-E3 MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
SI3438DV-T1-E3 MOSFET N-CH D-S 40V 6-TSOP
SI3442CDV-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V D-S 6TSOP
SI3443BDV-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-TSOP
相关代理商/技术参数
SI2336DS 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
SI2336DS-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 107A N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI2337DS 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 80-V (D-S) MOSFET
SI2337DS_08 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 80-V (D-S) MOSFET
SI2337DS-T1-E3 功能描述:MOSFET 80V 2.2A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI2337DS-T1-E3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:P CHANNEL MOSFET -80V 2.2A TO-236
SI2337DS-T1-GE3 功能描述:MOSFET 80V 2.2A 2.5W 270mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI2337DS-T1-GE3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:P CHANNEL MOSFET -80V 2.2A TO-236